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台积电不用新一代EUV光刻机!2030年的1nm再说
发布日期:2024-02-09 06:06    点击次数:158
基辛格透露其中一个相当于1.5nm工艺,预计命名为15A,将在德国工厂量产。

快科技2月8日消息,Intel已于日前接受了ASML的第一台新一代高NA EUV光刻机,但是台积电一直不为所动,可能要到1nm工艺时代才会跟进。

Intel计划将高NA EUV光刻机用于Intel 18A后的制程节点,也就是超过1.8nm,时间大概在2026-2027年。

Intel此前公布的路线图上,18A之后已经安排了三个新的制程节点,但尚未具体命名。

基辛格透露其中一个相当于1.5nm工艺,预计命名为15A,将在德国工厂量产。

台积电不用新一代EUV光刻机!2023年的1nm再说

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台积电对于高NA EUV光刻机引入计划则一直守口如瓶,有多个消息来源称台积电还在观望评估,目前计划要等到1nm工艺节点才会上马,而时间要等到2030年左右了。

台积电目前正在冲刺2nm工艺,预计2025-2027年间量产,单芯片可集成超过1000亿个晶体管,单个封装可超5000亿个。

然后是1.4nm、1nm,其中后者计划2030年左右量产,将在单颗芯片内集成超过2000亿个晶体管,单个封装内则超过1万亿个,相比N2工艺翻一倍。

有趣的是,Intel也计划在2030年做到单个封装1万亿个晶体管,可谓针锋相对。

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